RSTNG85N05A1GD

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG85N05A1GD 是一款低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6A‑8_EP 封装，额定漏源电压 VDS = 85V，连续漏极电流 ID = 120A（TC=25℃，邦定线限流），脉冲电流 IDM = 360A。其导通电阻典型值为 5mΩ（VGS=10V, ID=30A），在 85V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性极高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6A‑8_EP 封装提供优异的热传导和低寄生电感，适合高密度电源设计。最大结温 TJ = 175℃。

■ 关键电气参数
RSTNG85N05A1GD 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 2360pF（典型），输出电容 Coss = 345pF，反向传输电容 Crss = 50pF（VDS=40V 时），较低的电容值有助于提高开关速度。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 33.6nC（典型），其中栅源电荷 11.3nC，栅漏电荷 5.1nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 18ns，上升 9ns，关断延迟 40ns，下降 58ns。体二极管反向恢复时间 45ns，恢复电荷 59nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG85N05A1GD 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 125W，TC=100℃ 时降额至 62.5W；结到壳热阻 RθJC = 1.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 24A，雪崩能量 EAS = 144mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及大量过孔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTNG85N05A1GD 凭借 5mΩ 的低导通电阻和快速开关特性，特别适用于：

• 反激转换器同步整流：服务器电源、适配器中的高效整流。

• 移动设备充电器：大功率快充方案。

• USB-PD 适配器：大功率 Type-C 电源适配器。

• DC/DC 转换器：中压大电流降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTNG85N05A1GD 是 85V 级高效电源转换和快充应用的优选器件。