RSTN40N10SL
RSTN40N10SL 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN40N10SL 是一款高压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 40A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 135A。导通电阻典型值为 19mΩ（VGS=10V, ID=17A），最大25mΩ，支持低压驱动。器件内置ESD保护，经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6封装提供良好的散热和低寄生参数，适合SMPS和DC-DC转换器应用。
■ 关键电气参数
RSTN40N10SL 的栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.2~2.2V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约725pF（VDS=50V），输出电容约131pF，反向传输电容约18pF。栅极电荷 Qg 典型值约14nC（VGS=10V, ID=17A）和6.9nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约2.5nC，栅漏电荷约3.4nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约12ns，关断延迟约61ns，下降约23ns。体二极管反向恢复时间约33ns，恢复电荷约48nC，适合中等频率硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN40N10SL 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 52W，TC=100℃ 时降额至21W；结到壳热阻 RθJC = 2.4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 12A，雪崩能量 EAS = 36mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN40N10SL 凭借100V耐压和40A电流能力，广泛适用于：
SMPS电源管理：开关电源的主开关或同步整流。
DC-DC转换器：高压降压转换器的主开关。
负载开关：工业控制、通信设备中的高压切换。
逆变器：小功率逆变器中的功率开关。
瑞斯特 RSTN40N10SL 为100V系统提供了高效、可靠的开关方案。
