RSTN100D10A1
RSTN100D10A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN100D10A1 是一款高压大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6I-8_EP2封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 48A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 144A。导通电阻典型值为 10mΩ（VGS=10V, ID=15A）和13mΩ（VGS=4.5V, ID=9A），在100V耐压等级中具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6I封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合桥式拓扑、同步整流对和电机驱动。
■ 关键电气参数
RSTN100D10A1 的栅极阈值电压典型值约2V（范围1~3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1520pF（VDS=50V），输出电容约220pF，反向传输电容约30pF。栅极电荷 Qg 典型值约28nC（VGS=10V, ID=15A）和13nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约5.6nC，栅漏电荷约5.3nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约17ns，上升约8ns，关断延迟约37ns，下降约38ns。体二极管反向恢复时间约43ns，恢复电荷约84nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN100D10A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 28W，TC=100℃ 时降额至11W；结到壳热阻 RθJC = 4.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 70℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 18A，雪崩能量 EAS = 81mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN100D10A1 凭借100V耐压和48A电流能力，广泛适用于：
桥式拓扑：H桥、全桥电路中的功率开关。
同步整流对：高效开关电源的同步整流。
电机驱动：大功率BLDC电机驱动。
负载开关：工业控制、通信设备中的高压切换。
瑞斯特 RSTN100D10A1 为100V大电流系统提供了高效、可靠的解决方案。
