RSTD20N600

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD20N600 是一款高压 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为高效率同步整流、SMPS、不间断电源、高速功率开关和硬开关高频电路等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 5.8A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 20A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD20N600 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率高压应用。

■ 关键电气参数
RSTD20N600 的导通电阻最大值 RDS(on) = 600mΩ（VGS=10V, ID=5A），VGS=4.5V 时最大为 620mΩ。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~3.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 530pF，输出电容 COSS 约 70pF，反向传输电容 CRSS 约 35pF（VDS=25V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 30nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 11.5nC，适合中高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD20N600 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 44.6W，TA=25℃ 时为 2W。结到壳热阻 RθJC = 2.8℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W（PCB 安装）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD20N600 凭借 200V 耐压、5.8A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 高效率同步整流：开关电源中的同步整流管。

• SMPS：中功率开关电源模块。

• 不间断电源（UPS）：逆变器功率级。

• 高速功率开关：高频开关应用。

瑞斯特 RSTD20N600 以 TO-252-2 封装提供 200V/5.8A 的 N 沟道高性能，为高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。