RSTD100N03
RSTD100N03 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD100N03 是一款超低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为工业转换器电源管理等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 160A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD100N03 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RSTD100N03 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3mΩ（VGS=10V, ID=20A），在 VGS=4.5V 时典型值为 4.5mΩ，最大 6.8mΩ，这是极低的导通电阻，使其在 4.5V 驱动下仍能保持极低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 1.8V（范围 1.0~2.5V），兼容 2.5V/3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 3906pF（VDS=10V），输出电容 Coss 约 155pF，反向传输电容 Crss 约 135pF。栅极电荷 Qg 典型值 23nC（VGS=10V, ID=20A），栅源电荷 Qgs 5nC，栅漏电荷 Qgd 3nC。开关时间典型值：开通延迟 8ns，上升 9ns，关断延迟 32ns，下降 6ns（测试条件 VDD=15V, ID=20A）。体二极管正向压降典型值 0.7V。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD100N03 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 52W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 3.6W。最大耗散功率取决于具体散热条件，典型设计需参考数据手册的热阻参数。器件通过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的耐受能力。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。器件符合 RoHS 环保要求，适合大规模生产应用。
■ 典型应用场景
RSTD100N03 凭借 30V 耐压、100A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：
工业转换器电源管理：低压大电流 DC/DC 转换器的主开关。
负载开关：工业控制、通信设备中的高电流负载切换。
电池保护：单节或多节锂电池组的充放电保护电路。
同步整流：低压大电流开关电源的同步整流。
瑞斯特 RSTD100N03 以 TO-252-2 封装提供卓越的电流能力和超低导通损耗，是低压高电流应用的理想功率开关。
