RST84

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST84 是一款采用 SOT-23-3 超小型封装的 P 沟道增强型小信号MOSFET，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -0.13A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -0.39A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST84 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOT-23-3 封装（2.9mm×2.8mm）占用极小 PCB 面积，适合空间受限的便携设备，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST84 的导通电阻典型值 RDS(on) = 2.2Ω（VGS=-10V, ID=-0.5A），最大 3.2Ω；在 VGS=-4.5V 时典型值为 2.5Ω，最大 3.5Ω。适中的导通电阻在小电流应用中可有效降低功耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.8~-2.0V（ID=-250μA），兼容 3.3V/5V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 30pF，输出电容 COSS 约 10pF，反向传输电容 CRSS 约 5pF（VDS=-5V, f=1MHz），极低的电容使其适用于高频信号切换。栅极电荷 Qg 典型值 4.6nC（VGS=-4.5V），米勒电荷 Qgd 约 1.8nC，使其在 MHz 级开关频率下具备快速开关能力。栅极电阻 Rg 典型值 10.7Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST84 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 0.225W，TA=70℃ 时降额至 0.09W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 90℃/W，稳态热阻 125℃/W（基于 1in² 铜箔）。由于 SOT-23-3 封装热阻较高，建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 100% UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。

■ 典型应用场景
RST84 凭借 -60V 耐压、小电流能力和快速开关特性，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：作为小信号负载开关，用于控制外设电源。

• 便携设备电池管理：在电池供电系统中作为逻辑电平转换或小电流开关。

• 信号切换：用于音频、传感器等模拟信号切换。

• 电平转换：作为双向电平转换器，适配不同电压域。

瑞斯特 RST84 以 SOT-23-3 小封装提供 -60V/-0.13A 的 P 沟道小信号开关能力，为便携设备提供高性价比的解决方案。