RST7N65AD

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST7N65AD 是一款采用 TO-252 表面贴装封装的 N 沟道增强型高压 MOSFET，专为高效率开关电源、电子镇流器和 LED 驱动电源设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 7A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 28A，栅源电压 VGS = ±30V。耗散功率 PD = 100W（Tc=25℃），结温范围 -55℃ ~ +150℃，结到壳热阻 RthJC = 1.25℃/W，结到环境热阻 RthJA = 100℃/W。器件具备高开关速度和改进的 dv/dt 能力，雪崩能量 EAS 高达 845mJ。TO-252 封装（DPAK）适合自动化贴装，具有较好的散热能力，适用于高压功率开关。

■ 关键电气参数
RST7N65AD 的导通电阻典型值 RDS(on) = 1.12Ω（VGS=10V、ID=3.5A），最大值 1.35Ω。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2V~4V（ID=250μA）。漏源击穿电压 BVDS = 650V。动态参数：输入电容 CISS = 1200pF，输出电容 COSS = 80pF，反向传输电容 CRSS = 1.9pF（VDS=25V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 23nC（典型），米勒电荷 Qgd = 11nC，低栅极电荷支持较高频率的开关操作。开关时间：td(on)=21ns，tr=17ns，td(off)=38ns，tf=16ns（VDD=325V、ID=7A、Rg=10Ω）。体二极管正向压降 VSD = 0.72V（IS=1A），反向恢复时间 trr = 765ns，反向恢复电荷 Qrr = 4750nC。这些特性使其在 100kHz 左右的高压开关应用中表现良好。

■ 热设计与可靠性
TO-252 封装结到壳热阻 RthJC = 1.25℃/W，在 25℃ 环境下最大耗散功率 100W。建议将器件安装在足够面积的铜箔上，并利用散热片辅助散热。当结温升高时，需按数据手册降额曲线降低功率。器件符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。100% UIS 测试保证了其雪崩耐受能力。

■ 主要应用领域
RST7N65AD 凭借 650V 耐压和 7A 电流能力，广泛适用于以下场景：

• 高效率开关电源（SMPS）：作为反激或正激变换器中的初级开关管。

• 电子镇流器：用于半桥谐振拓扑中的高压开关。

• LED 驱动电源：作为恒流 LED 驱动器的开关管。

• AC-DC 转换器：用于适配器、充电器中的功率级。

• 光伏逆变器辅助电源：用于高压输入的辅助功率电路。

综上，瑞斯特 RST7N65AD 以 TO-252 封装、650V/7A 能力和低导通电阻，成为高压中小功率开关应用的理想选择。