SN74AUP1G17DSF

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）SN74AUP1G17DSF 是施密特触发超低功耗 CMOS 单路缓冲器，供电 0.8V~3.6V，适配 1.0V、1.2V、1.8V、2.5V、3.3V，省去电平转换。施密特触发阈值与迟滞，能将缓慢变化或带噪声输入信号整定为陡峭边沿干净输出，抗干扰增强。封装 DFN1x1-6L（DSF），尺寸 1.0×1.0mm，高仅 0.42mm，是系列最紧凑封装，适合极致小型化设备；同系列提供 SOT23-5、SOT353、DFN1.45x1-6L 等选项。温度 -40~125℃，ESD HBM>5000V、CDM>1000V，IOFF，掉电防倒灌。

■ 核心电气参数与动态性能
静态电流典型 ICC = 0.9μA（最大 1.4μA），漏电流 ±0.5μA。输出驱动，VCC=3.0V 时 VOH 在 -4.0mA 负载下为 2.55V，VOL 在 4.0mA 负载下为 0.45V。延迟 tpd 在 VCC=3.0~3.6V、CL=5pF 时仅 1.2ns（最大 3.4ns），CL=30pF 时 2.8ns。传输特性：正向阈值 VT+ 典型 2.13V，负向阈值 VT- 典型 1.15V，迟滞 VH 达 0.98V，宽窗口有效抑制电源纹波和噪声。输入电容 Ci = 2.0pF，输出电容 Co = 4.1pF，低容性负载利于高速传输与低动态功耗。

■ 超低功耗与宽压兼容及抗噪优势
极低 0.9μA 静态电流配合 0.8V~3.6V 宽压，使器件能在多个电压域间直连，无需外置电平转换，简化设计并降低 BOM。施密特触发核心——能将缓慢模拟边沿（如 RC 延时、机械开关抖动、长线衰减）恢复为陡峭数字边沿，同时对电源噪声和地弹具备天然抑制，在工业控制、电机驱动等强干扰环境尤为关键。IOFF 在待机或断电时输出高阻，防止电流倒灌，增强多电源域可靠性。DFN1x1-6L 封装面积仅 1.0mm²，高度 0.42mm，比 DRY（0.6mm）和 SOT353（1.1mm）更薄，是智能手表、TWS 耳机、助听器等极致超薄设备的理想选择。

■ 典型应用场景
SN74AUP1G17DSF 适用于各类信号调理与缓冲需求：

• • 信号波形整形：将传感器、按键、编码器或长线传输的慢变/带噪声信号转换为标准方波，为 MCU/FPGA 提供可靠边沿。

• • 便携与可穿戴设备：智能手机、手表、TWS 耳机、助听器中用于按键消抖、中断缓冲、低速接口波形重整，超低功耗延长续航，DFN 超小封装适应紧凑主板。

• • 多电压域接口：在 1.2V~3.3V 混合系统中作为纯缓冲或电平适配，避免额外电平转换 IC。

• • 工业与电源管理：PLC 输入、电机驱动、电源使能控制中，利用抗干扰特性处理现场嘈杂信号，IOFF 支持分区掉电管理。

选型时输入摆幅须在 0~VCC 内，避免超 4.6V 绝对最大值。DFN 封装 PCB 布局建议参照 IPC 标准，底部焊盘需良好焊接。