SN74AUP1G08DSF

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）SN74AUP1G08DSF 是一款超低功耗 CMOS 单路 2 输入与门，供电电压 0.8V~3.6V，支持宽压应用。输入施密特触发动作，对较慢的输入上升/下降时间有较高容忍度，确保信号完整性。采用 DFN1x1-6L 超小型塑料封装，外形尺寸 1.0mm × 1.0mm，最大高度仅 0.42mm，引脚间距 0.35mm，是目前最小的封装选项之一，适合极受限的 PCB 空间和超薄便携设备。工作温度 -40~125℃，符合 JEDEC 标准，ESD 防护 HBM 超 5000V、CDM 超 1000V。IOFF 电路支持部分掉电模式，防止掉电时反向电流。该器件在整个 VCC 范围内确保极低的静态和动态功耗，是电池供电设备的理想选择。

■ 核心电气参数与动态性能
静态特性方面，典型静态电流 ICC = 0.9μA（最大 1.4μA），输入漏电流 ±0.5μA，输出高电平在 20μA 负载下为 VCC - 0.1V。输入阈值随 VCC 变化：0.8V 时 VIH 为 0.7VCC、VIL 为 0.3VCC；3.0V~3.6V 时 VIH 为 2.0V、VIL 为 0.9V。动态性能方面，典型传播延迟在 VCC=3.0~3.6V、CL=5pF 下为 1.2ns（最大 3.5ns），CL=30pF 下为 2.5ns（最大 6.6ns）。耗散电容 CPD 在 3.0~3.6V 下为 4.1pF，超低动态功耗适合便携设备。输入电容 Ci = 0.8pF，输出电容 Co = 1.7pF，支持高速传输。

■ 超低功耗与宽压兼容优势
SN74AUP1G08DSF 以 0.9μA 静态电流在同类中极低，配合 0.8V~3.6V 宽压，可直接适配 1.0V、1.2V、1.8V、2.5V 及 3.3V 多种电压域，无需额外电平转换。施密特输入抑制噪声，提高抗干扰。IOFF 支持部分掉电，防止待机时电流倒灌。DFN1x1-6L 极小型封装适合高密度贴装和超薄便携设备，0.42mm 的极低高度使其适用于智能手表、耳机等对厚度有严格要求的消费电子产品。

■ 典型应用场景
SN74AUP1G08DSF 凭借宽压、低功耗及 DFN 超小封装，适用于对功耗和体积有严格要求的应用：
• 便携式设备：智能手机、智能手表、TWS 耳机中的逻辑控制与信号组合。
• 电池供电系统：物联网传感器、便携医疗设备，低功耗延长电池寿命。
• 多电压域系统：作为电平转换接口，在不同电压域间实现信号与逻辑。
• 电源管理：使能信号组合、电源序列控制，IOFF 支持部分掉电。
选型注意结温上限 125℃，输入信号摆幅需在 0~VCC 范围内。DFN 封装适合自动化贴装，建议参考 IPC 标准进行 PCB 焊盘设计。