Si2305DS-TI
Si2305DS-TI 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 Si2305DS-TI 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 小封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -4.2A（TA=25℃，1in²铜箔），脉冲电流 IDM = -10A。其导通电阻典型值为 53mΩ（VGS=-10V, ID=-4.5A）、65mΩ（VGS=-4.5V, ID=-4.2A）、100mΩ（VGS=-2.5V, ID=-2A）和 250mΩ（VGS=-1.8V, ID=-1A），在低电压 P 沟道器件中具有较低的导通损耗。SOT-23 封装尺寸极小，适合表面贴装应用，栅源电压 VGS = ±12V。
■ 关键电气参数
Si2305DS-TI 的栅极阈值电压典型值为 -0.5V（范围 -0.5~-1.5V），适合低压逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 740pF（典型），输出电容 Coss = 167pF，反向传输电容 Crss = 126pF（VDS=-15V 时），较低的电容值有助于提高开关速度。栅极电荷 Qg 在 VGS=-4.5V 时为 10.6nC（典型），其中栅源电荷 2.32nC，栅漏电荷 3.68nC。开关时间（VDD=-15V, ID=-4.2A）为开通延迟 5.9ns，上升 3.6ns，关断延迟 32.4ns，下降 2.6ns。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=1.2A），反向恢复时间 27.7ns，恢复电荷 22nC。器件具有较高的跨导 gfs = 9S，确保良好的电流控制能力。
■ 热管理与可靠性设计
Si2305DS-TI 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.38W，线性降额因子 0.01W/℃；结到环境热阻（1in²铜箔）RθJA = 90℃/W，最小铜箔时热阻为 270℃/W。以 TA=25℃ 为参考的连续漏极电流为 -4.2A（70℃ 时 -3.4A）。建议在 PCB 布局中为 SOT-23 封装提供足够的铜箔面积以辅助散热。器件工作结温范围 -55℃ 至 150℃。
■ 典型应用场景
Si2305DS-TI 作为低压 P 沟道器件，特别适用于：
DC/DC 转换器：低压降压转换器的高侧开关。
负载开关：便携设备中的高侧负载通断控制。
电源管理：笔记本电脑、便携设备的电源路径管理。
电池保护：锂电池充放电保护电路。
瑞斯特 Si2305DS-TI 在极小封装内提供了低导通损耗和良好的开关性能，是便携式电源管理的理想选择。
