RSTTG100N07

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTTG100N07 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 240A。其导通电阻典型值为 7mΩ（VGS=10V, ID=35A），在 100V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。TO-220 封装提供良好的热传导能力，适合 SMPS 电源管理和 DC/DC 转换应用。

■ 关键电气参数
RSTTG100N07 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 2700pF（典型），输出电容 Coss = 350pF，反向传输电容 Crss = 50pF（VDS=50V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 58nC（典型），其中栅源电荷 13nC，栅漏电荷 20nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 16ns，上升 16ns，关断延迟 49ns，下降 74ns。体二极管反向恢复时间 46ns，恢复电荷 86nC。器件具有较低的栅极电阻 RG = 1Ω，有助于快速开关。

■ 热管理与可靠性设计
RSTTG100N07 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 104W，TC=100℃ 时降额至 41W；结到壳热阻 RθJC = 1.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 25A，雪崩能量 EAS = 156mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在设计中为 TO-220 封装提供足够的散热器面积，以确保热可靠性。

■ 典型应用场景
RSTTG100N07 凭借良好的导通电阻和开关特性，广泛适用于：

• SMPS 电源管理：开关电源中的高效功率开关。

• DC/DC 转换器：高压大电流降压转换器的主开关。

• 负载开关：服务器和数据中心中的大电流通断控制。

• 同步整流：高效电源转换中的同步整流管。

瑞斯特 RSTTG100N07 在成本与性能之间实现了良好平衡，是 100V 级通用电源应用的优选器件。