RSTT65R200

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTT65R200 是一款 650V 高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 15A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 45A。其导通电阻典型值为 0.2Ω（VGS=10V, ID=6A），在 650V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。TO-220 封装提供良好的热传导能力，适合 AC/DC 电源转换、UPS 和适配器应用。栅源电压 VGS = ±30V。

■ 关键电气参数
RSTT65R200 的栅极阈值电压典型值为 3.5V（范围 2.5~4.5V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 1093pF（典型），输出电容 Coss = 33pF，反向传输电容 Crss = 6pF（VDS=325V 时），极低的 Crss 有助于减小米勒效应。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 24nC（典型），其中栅源电荷 6.1nC，栅漏电荷 8.9nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 15ns，上升 12ns，关断延迟 41ns，下降 108ns。体二极管反向恢复时间 243ns，恢复电荷 2.7μC。器件具有较高的栅极电阻 RG = 7Ω，有助于抑制振铃。

■ 热管理与可靠性设计
RSTT65R200 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 42W，TC=100℃ 时降额至 17W；结到壳热阻 RθJC = 3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。雪崩耐受能力为雪崩电流 IAS = 6A（重复），雪崩能量 EAS = 180mJ（L=10mH），具备较强的瞬态能量吸收能力。建议在设计中为 TO-220 封装提供足够的散热器面积，以确保在高压大电流工况下的热可靠性。

■ 典型应用场景
RSTT65R200 凭借 650V 耐压和低导通电阻，特别适用于：

• AC/DC 电源转换：开关电源（SMPS）中的高效功率开关。

• UPS 不间断电源：不间断电源系统中的功率开关。

• 适配器：电源适配器中的高效功率开关。

• 逆变器系统：逆变器中的功率开关。

瑞斯特 RSTT65R200 为 650V 级高压电源系统提供了低导通损耗和良好的散热能力，是高性能电源转换的理想选择。