RSTT16N25

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTT16N25 是一款 250V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，额定漏源电压 VDS = 250V，连续漏极电流 ID = 15.7A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 62A。其导通电阻典型值为 50mΩ（VGS=10V, ID=8A），在 250V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。TO-220 封装具有良好的散热能力和低寄生电感，适合同步整流和逆变器系统电源管理应用。栅源电压 VGS = ±25V。

■ 关键电气参数
RSTT16N25 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 4100pF（典型），输出电容 Coss = 85pF，反向传输电容 Crss = 15pF（VDS=125V 时），极低的 Crss 有助于减小米勒效应。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 66nC（典型），其中栅源电荷 16nC，栅漏电荷 13nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 16ns，上升 8ns，关断延迟 70ns，下降 16ns。体二极管反向恢复时间 111ns，恢复电荷 482nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTT16N25 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 59.5W，TC=100℃ 时降额至 23.8W；结到壳热阻 RθJC = 2.1℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。以 TA=25℃ 为参考的连续漏极电流为 2.9A（70℃ 时 2.3A），最大耗散功率 2W（70℃ 时 1.3W）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 2A，雪崩能量 EAS = 1mJ（L=0.5mH）。建议在 PCB 布局中为器件提供足够的散热面积，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTT16N25 凭借 250V 耐压和良好的开关特性，广泛适用于：

• 同步整流：高效电源转换中的同步整流管。

• 逆变器系统电源管理：逆变器中的高效功率开关。

• AC/DC 转换：开关电源中的功率开关。

• 负载开关：工业设备中的负载通断控制。

瑞斯特 RSTT16N25 是 250V 级通用电源和逆变器应用的优选器件。