RSTT15N10GD
RSTT15N10GD 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTT15N10GD 是一款 100V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 17A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 51A。其导通电阻典型值为 56mΩ（VGS=10V）和 60mΩ（VGS=4.5V），在 100V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。TO-220 封装具有良好的散热能力和低寄生电感，适合 DC/DC 转换器和 LED 背光 DC/DC 升压转换器应用。
■ 关键电气参数
RSTT15N10GD 的栅极阈值电压典型值约为 1.5V（范围 1.0~2.5V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。虽然数据手册未提供详细的动态参数数值，但从特性曲线可推断其输入电容和栅极电荷经过优化，适合中速开关应用。体二极管正向压降典型值约 0.8V，反向恢复特性良好，可有效降低续流损耗。该器件针对 DC/DC 转换器和 LED 背光 DC/DC 升压转换器应用进行了优化。
■ 热管理与可靠性设计
RSTT15N10GD 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 50W，TC=100℃ 时降额至 20W；结到壳热阻 RθJC = 2.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。以 TA=25℃ 为参考的连续漏极电流为 3.7A（70℃ 时 3A），最大耗散功率 2W（70℃ 时 1.28W）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 31A，雪崩能量 EAS = 240mJ（L=0.5mH），具备较强的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为器件提供足够的散热面积，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTT15N10GD 凭借 TO-220 封装和良好的开关特性，广泛适用于：
DC/DC 转换器：高压大电流降压转换器的主开关。
LED 背光 DC/DC 升压转换器：LED 背光驱动中的升压开关。
负载开关：工业设备中的负载通断控制。
电源管理：通用电源系统中的功率开关。
瑞斯特 RSTT15N10GD 在成本与性能之间实现了良好平衡，是 100V 级通用电源应用的优选器件。
