RSTT100N048 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTT100N048 是一款低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220 封装,额定漏源电压 VDS = 100V,连续漏极电流 ID = 120A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 360A。其导通电阻典型值为 4.8mΩ(VGS=10V),在 100V 耐压等级中处于极低水平,可极大降低大电流下的导通损耗。器件可靠性高,符合 RoHS 标准。TO-220 封装提供优异的热传导能力,适合同步整流、逆变器系统电源管理和电机驱动应用。栅源电压 VGS = ±25V。
■ 关键电气参数
RSTT100N048 的栅极阈值电压典型值约为 1.5V(范围 1.0~2.2V),兼容 3.3V 驱动。虽然数据手册未提供详细的动态参数数值,但从特性曲线可推断其输入电容和栅极电荷经过优化,适合高速开关应用。体二极管正向压降典型值约 0.8V,反向恢复特性良好,可有效降低续流损耗。该器件针对同步整流、逆变器系统电源管理和电机驱动应用进行了优化。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 40A,雪崩能量 EAS = 400mJ(L=0.5mH),具有极强的瞬态能量吸收能力。
■ 热管理与可靠性设计
RSTT100N048 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 192W,TC=100℃ 时降额至 77W;结到壳热阻 RθJC = 0.65℃/W,具有极佳的散热能力。结到环境热阻(稳态)RθJA = 62.5℃/W。以 TC=25℃ 为参考的连续漏极电流为 120A(100℃ 时 90A)。建议在设计中为 TO-220 封装提供足够的散热器面积,以确保在大电流工况下的热可靠性。
■ 典型应用场景
RSTT100N048 凭借 4.8mΩ 的低导通电阻和 120A 电流能力,特别适用于:
同步整流:高效电源转换中的同步整流管。
逆变器系统电源管理:逆变器中的高效功率开关。
电机驱动:高功率 BLDC 电机驱动。
DC/DC 转换器:高压大电流降压转换器的主开关。
瑞斯特 RSTT100N048 为 100V 级大电流系统提供了极低的导通损耗和卓越的散热能力,是高性能电源转换和电机驱动的理想选择。