RSTP25N10AG

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP25N10AG 是一款采用 Super Trench II 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 30A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 120A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 21mΩ @ VGS=10V（最大 25mΩ），26mΩ @ VGS=4.5V（最大 30mΩ），在 100V 耐压等级中表现良好，同时支持 4.5V 逻辑电平驱动。最大功耗 PD = 45W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 2.78℃/W。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 97mJ，提供基本的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.1~2.5V（ID=250μA），典型值 1.7V。输入电容 CISS = 1318pF（典型），输出电容 COSS = 124pF，反向传输电容 CRSS = 19.3pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性：开通延迟 td(on) = 13ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 22ns，下降时间 tf = 6ns（VDD=50V，ID=15A，VGS=10V），开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 27.6nC（VDS=50V，ID=15A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 5.5nC，栅漏电荷 Qgd = 6.9nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=15A），反向恢复时间 trr = 40ns，反向恢复电荷 Qrr = 85nC。跨导 gFS = 19S（VDS=5V，ID=15A）。

■ Super Trench II 技术与高压高频优势
RSTP25N10AG 采用 Super Trench II 技术，在 100V 高压等级中实现了 21mΩ 的典型导通电阻和 27.6nC 的栅极电荷，提供了优异的 FOM。支持 4.5V 逻辑电平驱动，可由 5V 控制器直接驱动，简化了系统设计。极低的米勒电容（CRSS=19.3pF）和快速开关速度（下降时间仅 6ns）使其在高频高压应用中表现卓越。2.78℃/W 的低热阻配合 45W 功耗能力和 150℃ 最高结温，确保在 30A 大电流下稳定运行。该器件是 100V 等级中平衡性能与易用性的理想选择，适合对效率和可靠性有要求的电源转换系统。DFN5x6 封装提供紧凑的占板面积，适合高密度 PCB 设计。

■ 典型应用场景
RSTP25N10AG 凭借 100V 耐压、30A 通流和 4.5V 驱动能力，适用于以下高效电源转换应用：
• DC-DC 转换器：48V 总线降压转换器、通信设备电源模块，4.5V 驱动简化控制电路。
• 同步整流：服务器电源、网络设备电源的同步整流 MOSFET，21mΩ RDS(ON) 提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，100V 耐压提供充足安全裕量。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。