RSTP095N10AG

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP095N10AG 是一款采用 Super Trench II 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 60A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 240A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 8.5mΩ @ VGS=10V（最大 9.5mΩ），10.5mΩ @ VGS=4.5V（最大 12.0mΩ），在 100V 耐压等级中表现均衡，同时支持 4.5V 逻辑电平驱动。最大功耗 PD = 80W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 1.56℃/W。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘，适合高功率密度应用。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 260mJ（L=0.25mH），提供良好的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.1~2.5V（ID=250μA），典型值 1.7V，较低的阈值电压使其在 4.5V 驱动下可靠导通。输入电容 CISS = 2600pF（典型），输出电容 COSS = 230pF，反向传输电容 CRSS = 27pF，较低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性：开通延迟 td(on) = 13ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 30ns，下降时间 tf = 8ns（VDD=50V，ID=30A，VGS=10V），开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 54nC（VDS=50V，ID=30A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 10nC，栅漏电荷 Qgd = 14nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=30A），反向恢复时间 trr = 55ns，反向恢复电荷 Qrr = 98nC。跨导 gFS = 45S（VDS=5V，ID=30A），保证了良好的驱动响应。

■ Super Trench II 技术与 4.5V 驱动优势
RSTP095N10AG 采用 Super Trench II 技术，在 100V 高压等级中实现了 8.5mΩ 的典型导通电阻和 54nC 的栅极电荷，提供了较低的 FOM。支持 4.5V 逻辑电平驱动，可由 5V 控制器直接驱动，简化了系统设计。1.56℃/W 的热阻配合 80W 功耗能力和 150℃ 最高结温，确保在 60A 大电流下长期稳定运行。极快的开关速度（下降时间仅 8ns）和低栅极电荷使其在高频应用中损耗极低。260mJ 的雪崩能量提供了良好的感性负载开关可靠性。该器件在导通电阻、驱动兼容性和开关速度之间实现了良好平衡，是 100V 等级中高性价比的功率 MOSFET 选择。DFN5x6 封装配合底部散热焊盘，适合紧凑型大电流高压设计。

■ 典型应用场景
RSTP095N10AG 凭借 100V 耐压、60A 通流、4.5V 驱动能力和 DFN5x6 封装，适用于以下高压高频电源转换应用：
• DC-DC 转换器：48V 总线降压转换器、通信设备电源模块，4.5V 驱动简化控制电路。
• 同步整流：服务器电源、网络设备电源的同步整流 MOSFET，8.5mΩ RDS(ON) 提升效率。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，260mJ 雪崩能力适应电网波动。
• 电动汽车：车载 DC-DC 变换器、辅助电机控制器，DFN5x6 适合高密度设计。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。