RSTP065N10AGU

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP065N10AGU 是一款采用 Super Trench II 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 90A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 360A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 5.3mΩ @ VGS=10V（最大 6.0mΩ），6.5mΩ @ VGS=4.5V（最大 7.0mΩ），在 100V 耐压等级中表现优异，同时支持 4.5V 逻辑电平驱动。最大功耗 PD = 110W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 1.14℃/W。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘，适合高功率密度应用。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 320mJ，提供良好的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.2~2.4V（ID=250μA），典型值 1.8V。输入电容 CISS = 4680pF（典型），输出电容 COSS = 316pF，反向传输电容 CRSS = 14.5pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 6ns，关断延迟 td(off) = 51ns，下降时间 tf = 9ns（VDD=50V，ID=45A，VGS=10V），开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 76nC（VDS=50V，ID=45A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 15.3nC，栅漏电荷 Qgd = 17.3nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=45A），反向恢复时间 trr = 55ns，反向恢复电荷 Qrr = 135nC。跨导 gFS = 60S（VDS=5V，ID=45A），高跨导保证了优异的驱动响应。

■ Super Trench II 技术与 4.5V 高压驱动优势
RSTP065N10AGU 采用 Super Trench II 技术，在 100V 高压等级中实现了 5.3mΩ 的典型导通电阻和 76nC 的栅极电荷，提供了极低的 FOM。支持 4.5V 逻辑电平驱动，可由 5V 控制器直接驱动，简化了系统设计。1.14℃/W 的低热阻配合 110W 功耗能力和 150℃ 最高结温，确保在 90A 大电流下长期稳定运行。极低的米勒电容（CRSS=14.5pF）和快速开关速度（上升时间仅 6ns）使其在高频高压应用中表现卓越。14.5pF 的米勒电容有效减少了开关过程中的振铃和电磁干扰，简化了 EMI 滤波设计。该器件在 100V 等级中实现了导通电阻、驱动兼容性和开关速度的卓越平衡，是高效率高压电源转换的理想选择。

■ 典型应用场景
RSTP065N10AGU 凭借 100V 耐压、90A 通流、4.5V 驱动能力和 DFN5x6 封装，适用于以下高压高频电源转换应用：
• DC-DC 转换器：48V 总线降压转换器、通信设备电源模块，4.5V 驱动简化控制电路。
• 同步整流：服务器电源、网络设备电源的同步整流 MOSFET，5.3mΩ RDS(ON) 提升效率。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，320mJ 雪崩能力适应电网波动。
• 电动汽车：车载 DC-DC 变换器、辅助电机控制器，DFN5x6 适合高密度设计。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。