RSTP035N72GU

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP035N72GU 是一款采用 Super Trench II 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 72V，连续漏极电流 ID = 120A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 480A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 2.4mΩ @ VGS=10V（最大 3.5mΩ），在 72V 耐压等级中表现优异。最大功耗 PD = 90W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 1.39℃/W。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 870mJ，提供极强的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2.0~4.0V（ID=250μA），典型值 3.0V。输入电容 CISS = 4260pF（典型），输出电容 COSS = 665pF，反向传输电容 CRSS = 29pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性：开通延迟 td(on) = 16ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 35ns，下降时间 tf = 8ns（VDD=35V，ID=60A，VGS=10V），开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 67nC（VDS=35V，ID=60A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 18nC，栅漏电荷 Qgd = 13nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=60A），反向恢复时间 trr = 68ns，反向恢复电荷 Qrr = 98nC。跨导 gFS = 75S（VDS=5V，ID=60A）。

■ Super Trench II 技术与 72V 高压优势
RSTP035N72GU 采用 Super Trench II 技术，在 72V 高压等级中实现了 2.4mΩ 的典型导通电阻和 67nC 的栅极电荷，提供了极低的 FOM。1.39℃/W 的低热阻配合 90W 功耗能力和 150℃ 最高结温，确保在 120A 大电流和 72V 高压下稳定运行。极低的米勒电容（CRSS=29pF）和快速开关速度（下降时间仅 8ns）使其在高频高压应用中表现卓越。870mJ 的雪崩能量提供了优异的感性负载开关可靠性。该器件是 72V 等级中性能最优的功率 MOSFET 之一，适合对效率和可靠性有严苛要求的电源转换系统。DFN5x6 封装配合底部散热焊盘，有效降低热阻，适合紧凑型大电流高压设计。

■ 典型应用场景
RSTP035N72GU 凭借 72V 耐压、120A 通流和低 FOM，适用于以下高压高频电源转换应用：
• DC-DC 转换器：48V/60V 总线降压转换器、通信设备电源模块，72V 耐压提供充足安全裕量。
• 同步整流：服务器电源、网络设备电源的同步整流 MOSFET，2.4mΩ RDS(ON) 提升效率。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，870mJ 雪崩能力适应严苛电网。
• 电机驱动：工业电机、电动汽车辅助电机控制器的大电流驱动电路，DFN5x6 适合高密度设计。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。