RSTP023N10D

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP023N10（TO-220）和 RSTP023N10D（TO-263）是一款采用 Super Trench II 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 240A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 960A。导通电阻典型值 2.0mΩ（TO-220） @ VGS=10V（最大 2.3mΩ），1.8mΩ（TO-263） @ VGS=10V（最大 2.1mΩ），在 100V 耐压等级中处于业界顶尖水平。最大功耗 PD = 340W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃，比常规 150℃ 提高了 25℃，结到壳热阻 RθJC = 0.44℃/W，极低的热阻确保了极高功率密度的可行性。TO-220 通孔封装便于安装散热器，TO-263（D²PAK）表面贴装封装适合自动化生产。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 2784mJ，提供极致的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2.0~4.0V（ID=250μA），典型值 3.0V。输入电容 CISS = 17000pF（典型），输出电容 COSS = 1500pF，反向传输电容 CRSS = 77pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。栅极电阻 Rg = 2.5Ω（典型），较低的栅极电阻有利于快速开关。开关特性：开通延迟 td(on) = 37ns，上升时间 tr = 29ns，关断延迟 td(off) = 82ns，下降时间 tf = 34ns（VDD=50V，ID=120A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 252nC（VDS=50V，ID=120A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 72nC，栅漏电荷 Qgd = 63nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=120A），反向恢复时间 trr = 105ns，反向恢复电荷 Qrr = 290nC。跨导 gFS = 200S（VDS=5V，ID=120A）。

■ 业界顶尖性能与 175℃ 工作温度
RSTP023N10/D 以 1.8mΩ（TO-263）的典型导通电阻在 100V 等级中实现了 240A 连续电流，是业界最高性能的 100V MOSFET 之一。0.44℃/W 的极低结到壳热阻配合 340W 功耗能力和 175℃ 最高结温，确保了在 240A 大电流下的长期稳定运行。2784mJ 的雪崩能量提供了卓越的感性负载开关可靠性，适合最严苛的工业应用。TO-220 和 TO-263 双封装选项为不同系统设计提供了灵活性。该器件在导通电阻、热性能和雪崩能力方面均达到了业界顶尖水平，是 100V 等级中功率开关的标杆产品。

■ 典型应用场景
RSTP023N10/D 凭借 100V 耐压、240A 通流、175℃ 工作温度和双封装选项，适用于以下极致功率应用：
• 同步整流：大功率服务器电源、通信电源的同步整流 MOSFET，1.8mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• DC-DC 转换器：大功率负载点电源（POL）、48V 总线降压转换器，适应 240A 大电流需求。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，2784mJ 雪崩能力适应严苛电网环境。
• 电动汽车：车载充电机、DC-DC 变换器、电机控制器，175℃ 结温适应汽车高温环境。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；TO-220 需配合散热器，TO-263 需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 175℃。