RSTP01T10G

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP01T10G 是一款采用 Super Trench 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 105A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 400A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 5.6mΩ @ VGS=10V（最大 6.4mΩ），在 100V 耐压等级中处于业界顶尖水平。最大功耗 PD = 135W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 0.93℃/W，在 DFN5x6 封装中热阻极低。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘，适合极高功率密度应用。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 676mJ，提供极强的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2.5~4.5V（ID=250μA）。输入电容 CISS = 4300pF（典型），输出电容 COSS = 790pF，反向传输电容 CRSS = 47pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性：开通延迟 td(on) = 13ns，上升时间 tr = 58ns，关断延迟 td(off) = 39ns，下降时间 tf = 8ns（VDD=50V，ID=50A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 60nC（VDS=50V，ID=50A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 21nC，栅漏电荷 Qgd = 11nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=50A），反向恢复时间 trr = 60ns，反向恢复电荷 Qrr = 140nC。跨导 gFS = 40S（VDS=10V，ID=50A）。

■ 业界领先的导通电阻与功率密度
RSTP01T10G 以 5.6mΩ 的典型导通电阻在 DFN5x6 封装中实现了 100V 耐压和 105A 连续电流，是 100V 等级中导通电阻最低的器件之一。0.93℃/W 的极低结到壳热阻配合 135W 功耗能力和 150℃ 最高结温，确保在 105A 大电流下长期稳定运行。676mJ 的雪崩能量提供了优异的感性负载开关可靠性。低栅极电荷（60nC）和低 FOM 使其在高频应用中开关损耗极低。该器件在 100V 等级中实现了业界领先的导通电阻和功率密度，是高性能电源系统的理想选择。

■ 典型应用场景
RSTP01T10G 凭借 100V 耐压、105A 通流和超低导通电阻，适用于以下高功率密度应用：
• 同步整流：服务器电源、通信电源的同步整流 MOSFET，5.6mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• DC-DC 转换器：48V 总线降压转换器、大功率负载点电源（POL），适应大电流需求。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，676mJ 雪崩能力适应严苛电网。
• 电机驱动：工业电机、电动汽车辅助电机控制器的大电流驱动电路，DFN5x6 适合高密度设计。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。