RSTP01ND35AG

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTP01ND35AG 是一款采用 Super Trench 技术的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 35A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 140A。导通电阻 RDS(ON) 典型值 18mΩ @ VGS=10V（最大 23mΩ），22mΩ @ VGS=4.5V（最大 27mΩ），在 100V 耐压等级中表现优异。最大功耗 PD = 50W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 2.5℃/W。采用 DFN5x6-8L 紧凑封装，底部大面积散热焊盘，适合高功率密度应用。100% UIS 测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 200mJ。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.2~2.8V（ID=250μA），典型值 2.0V。输入电容 CISS = 1600pF（典型），输出电容 COSS = 139pF，反向传输电容 CRSS = 11pF，极低的米勒电容有效减少了开关过程中的电压尖峰和振铃。开关特性极为出色：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 2ns，关断延迟 td(off) = 18ns，下降时间 tf = 2ns（VDD=50V，ID=20A，VGS=10V），开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 26nC（VDS=50V，ID=20A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 7.4nC，栅漏电荷 Qgd = 3.8nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=35A），反向恢复时间 trr = 26ns，反向恢复电荷 Qrr = 98nC（di/dt=500A/μs）。跨导 gFS = 35S（VDS=5V，ID=20A）。

■ Super Trench 技术与高频优势
RSTP01ND35AG 采用优化的 Super Trench 技术，在导通电阻和栅极电荷之间实现了业界领先的平衡。18mΩ 的典型导通电阻配合 26nC 的栅极电荷，提供了极低的 FOM（品质因数），有效降低了导通损耗和开关损耗。极低的米勒电容（CRSS=11pF）和超快开关速度（上升/下降时间仅 2ns）使其在高频应用中表现卓越。DFN5x6 封装配合 2.5℃/W 的低热阻，确保在 35A 大电流和 100V 高压下稳定运行。该器件是 100V 等级中高频开关应用的理想选择，特别适合对效率要求严苛的电源转换系统。

■ 典型应用场景
RSTP01ND35AG 凭借 100V 耐压、超快开关速度和低 FOM，适用于以下高频高效电源转换应用：
• DC-DC 转换器：48V 总线降压转换器、通信设备电源模块，高频开关降低磁性元件尺寸。
• 同步整流：服务器电源、网络设备电源的同步整流 MOSFET，低 RDS(ON) 提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，极快开关速度降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路，100V 耐压提供充足裕量。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。