RSTNG80N05A1LX

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG80N05A1LX 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6‑8 封装，额定漏源电压 VDS = 80V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 240A。其导通电阻典型值为 5mΩ（VGS=10V, ID=40A），在 80V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6‑8 封装具有良好的散热能力和低寄生电感，适合高密度电源设计。

■ 关键电气参数
RSTNG80N05A1LX 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 4140pF（典型），输出电容 Coss = 480pF，反向传输电容 Crss = 100pF（VDS=40V 时），较低的电容值有助于提高开关速度。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 69nC（典型），4.5V 时为 33nC，其中栅源电荷 12.7nC，栅漏电荷 11.7nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 20ns，上升 10ns，关断延迟 76ns，下降 68ns。体二极管反向恢复时间 52ns，恢复电荷 99nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG80N05A1LX 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 96.1W，TC=100℃ 时降额至 38.4W；结到壳热阻 RθJC = 1.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。以 TA=25℃ 为参考的连续漏极电流为 15.9A（70℃ 时 12.7A），最大耗散功率 2.27W（70℃ 时 1.45W）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 44A，雪崩能量 EAS = 484mJ（L=0.5mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及大量过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTNG80N05A1LX 凭借 80V 耐压和低导通电阻，特别适用于：

• 反激转换器同步整流：USB-PD 适配器中的高效整流。

• 移动设备充电器：手机、平板电脑的快充方案。

• USB-PD 适配器：大功率 Type-C 电源适配器。

• DC/DC 转换器：中压降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTNG80N05A1LX 是 80V 级高效电源转换和快充应用的优选器件。