RSTNG60N024A1

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG60N024A1 是一款低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6A‑8_EP 封装，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 130A（TC=25℃，邦定线限流），脉冲电流 IDM = 390A。其导通电阻典型值为 2.4mΩ（VGS=10V, ID=50A），在 60V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6A‑8_EP 封装提供良好的热传导和低寄生电感，适合高密度电源设计。最大结温 TJ = 175℃。

■ 关键电气参数
RSTNG60N024A1 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 3450pF（典型），输出电容 Coss = 910pF，反向传输电容 Crss = 90pF（VDS=30V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 53nC（典型），其中栅源电荷 17nC，栅漏电荷 10nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 24ns，上升 12ns，关断延迟 55ns，下降 103ns。体二极管反向恢复时间 47ns，恢复电荷 57nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG60N024A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 166.67W，TC=100℃ 时降额至 83.33W；结到壳热阻 RθJC = 0.9℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 32A，雪崩能量 EAS = 256mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及大量过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTNG60N024A1 凭借低导通电阻和良好的热性能，广泛适用于：

• 二次侧同步整流：服务器电源、适配器中的高效整流。

• DC/DC 转换器：中压大电流降压转换器的主开关。

• 电机控制：BLDC 电机驱动。

• 负载开关：工业设备中的大电流通断控制。

瑞斯特 RSTNG60N024A1 是高效电源转换和电机驱动的优选器件。