RSTNG60N022A1
RSTNG60N022A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG60N022A1 是一款低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6A‑8_EP 封装，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 170A（TC=25℃，封装限流），脉冲电流 IDM = 510A。其导通电阻典型值为 2.2mΩ（VGS=10V, ID=40A）和 3mΩ（VGS=4.5V, ID=30A），在 60V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6A‑8_EP 封装提供良好的热传导和低寄生电感，适合高密度电源设计。最大结温 TJ = 175℃。
■ 关键电气参数
RSTNG60N022A1 的栅极阈值电压典型值为 1.8V（范围 1.0~3.0V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 3800pF（典型），输出电容 Coss = 770pF，反向传输电容 Crss = 100pF（VDS=30V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 62nC（典型），4.5V 时为 28.3nC，其中栅源电荷 13nC，栅漏电荷 10.3nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 20ns，上升 11ns，关断延迟 71ns，下降 83ns。体二极管反向恢复时间 38ns，恢复电荷 34nC。
■ 热管理与可靠性设计
RSTNG60N022A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 115.4W，TC=100℃ 时降额至 57.7W；结到壳热阻 RθJC = 1.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 31A，雪崩能量 EAS = 240mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及大量过孔，以优化散热。
■ 典型应用场景
RSTNG60N022A1 凭借均衡的导通电阻和开关特性，广泛适用于：
二次侧同步整流：服务器电源、适配器中的高效整流。
DC/DC 转换器：中压大电流降压转换器的主开关。
电机控制：BLDC 电机驱动。
负载开关：工业设备中的大电流通断控制。
瑞斯特 RSTNG60N022A1 在保证低导通损耗的同时，提供了良好的热性能，是高效电源转换的理想选择。
