RSTNG40D05A1
RSTNG40D05A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG40D05A1 是一款 40V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6C‑8_EP2 封装，额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 45A（TC=25℃，邦定线限流），脉冲电流 IDM = 135A。其导通电阻典型值为 5mΩ（VGS=10V, ID=20A）和 7mΩ（VGS=4.5V, ID=15A），在 40V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6C‑8_EP2 封装具有出色的热传导能力，适合汽车和工业应用。
■ 关键电气参数
RSTNG40D05A1 的栅极阈值电压典型值为 1.8V（范围 1.4~2.5V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 1370pF（典型），输出电容 Coss = 317pF，反向传输电容 Crss = 46pF（VDS=20V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 22nC（典型），其中栅源电荷 4.7nC，栅漏电荷 3nC，极低的电荷量有助于高速开关。开关时间（VDD=20V, ID=1A）为开通延迟 13.8ns，上升 8ns，关断延迟 30ns，下降 21ns，适合高频开关应用。体二极管反向恢复时间 23ns，恢复电荷 13nC，具有出色的反向恢复特性。
■ 热管理与可靠性设计
RSTNG40D05A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 135W，TC=100℃ 时降额至 10W；结到壳热阻 RθJC = 5℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 28A，雪崩能量 EAS = 39.2mJ（L=0.1mH），适用于一般感性负载。该器件针对 12V 汽车系统优化，具有增强的瞬态耐量和可靠性。建议在 PCB 布局中提供足够的铜箔面积以辅助散热，特别是大电流路径。
■ 典型应用场景
RSTNG40D05A1 凭借 40V 耐压和快速开关特性，广泛适用于：
12V 汽车系统：车身电子、照明控制、电机驱动等。
电机控制：小型直流电机和有刷电机驱动。
变速器控制：汽车变速器电子控制单元。
高频开关：DC/DC 转换器和负载开关。
瑞斯特 RSTNG40D05A1 是汽车和工业低压应用的理想选择，提供可靠的开关性能和低导通损耗。
