RSTNG30N025A2L

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG30N025A2L 是一款紧凑型中电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN3.3×3.3‑8L 小封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 28A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 84A。其导通电阻典型值为 2.5mΩ（VGS=10V, ID=15A）和 3mΩ（VGS=4.5V, ID=10A），在 30V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。PDFN3.3×3.3‑8L 封装尺寸小巧，适合便携式设备。

■ 关键电气参数
RSTNG30N025A2L 的栅极阈值电压典型值为 1.7V（范围 1.4~2.5V），兼容 3.3V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 2220pF，输出电容 Coss = 800pF，反向传输电容 Crss = 70pF（VDS=15V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 28nC（典型），4.5V 时为 13.4nC，其中栅源电荷 4nC，栅漏电荷 4.5nC，极低的电荷有助于高速开关。开关时间（VDD=15V, ID=1A）为开通延迟 15ns，上升 12ns，关断延迟 28ns，下降 32ns，适合高频开关应用。体二极管反向恢复时间 40ns，恢复电荷 33nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG30N025A2L 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 32.8W，TC=100℃ 时降额至 13.1W；结到壳热阻 RθJC = 3.8℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 70℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）热阻为 40℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 35A，雪崩能量 EAS = 61.25mJ（L=0.1mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。器件具有瞬态击穿电压 BVDSST = 34V，增强了抗浪涌能力。建议在 PCB 布局中提供足够的铜箔面积以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTNG30N025A2L 凭借低栅极电荷和小封装，广泛适用于：

• 笔记本电脑电源管理：电池充放电保护、负载开关。

• 便携设备：智能手机、平板电脑的电源路径管理。

• 电池供电系统：电动工具、可穿戴设备的功率开关。

• DC/DC 转换器：低压降压转换器的主开关或同步整流管。

瑞斯特 RSTNG30N025A2L 在极小封装内提供了快速开关和低导通损耗，是便携式高密度电源设计的优选器件。