RSTNG100N045A1H

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG100N045A1H 是一款低导通电阻、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5×6‑8L 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃，邦定线限流 100A），脉冲电流 IDM = 300A。其导通电阻典型值为 4.5mΩ（VGS=10V, ID=30A），在 100V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性极高，符合 RoHS 标准。PDFN5×6‑8L 封装提供优异的热传导和低寄生电感，适合高密度电源设计。

■ 关键电气参数
RSTNG100N045A1H 的栅极阈值电压典型值为 2~3V（范围 2~4V），适合 5V 或 10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 3420pF（典型），输出电容 Coss = 1100pF，反向传输电容 Crss = 70pF（VDS=30V 时）。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 64nC（典型），4.5V 时为 31nC，其中栅源电荷 12nC，栅漏电荷 13nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 24ns，上升 12ns，关断延迟 75ns，下降 95ns。体二极管反向恢复时间 61ns，恢复电荷 125nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG100N045A1H 在 TC=25℃ 时最大耗散功率高达 250W，TC=100℃ 时仍达 100W；结到壳热阻 RθJC = 0.5℃/W，具有极佳的散热能力。结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 33A，雪崩能量 EAS = 272mJ（L=0.5mH），具备较强的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及大量过孔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTNG100N045A1H 凭借 4.5mΩ 的低导通电阻和 100A 电流能力，特别适用于：

• SMPS 电源管理：开关电源中的高效功率开关。

• DC/DC 转换器：高压大电流降压转换器的主开关。

• 负载开关：服务器和数据中心中的大电流通断控制。

• 同步整流：高效电源转换中的同步整流管。

瑞斯特 RSTNG100N045A1H 为 100V 级大电流系统提供了低导通损耗和卓越的散热能力，是高性能电源转换的理想选择。