RSTNG100D25
RSTNG100D25 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG100D25 是一款 100V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6C‑8_EP2 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 7.8A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 23.4A。其导通电阻典型值为 25mΩ（VGS=10V）和 40mΩ（VGS=4.5V），在 100V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 标准。DFN5×6C‑8_EP2 封装具有出色的热传导能力，适合笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
RSTNG100D25 的栅极阈值电压典型值约为 1.5V（范围 1.0~2.2V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。虽然数据手册未提供详细的动态参数数值，但从特性曲线可推断其输入电容和栅极电荷经过优化，适合中速开关应用。体二极管正向压降典型值约 0.8V，反向恢复特性良好，可有效降低续流损耗。该器件针对便携设备电源管理进行了优化。
■ 热管理与可靠性设计
RSTNG100D25 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 30W，TC=100℃ 时降额至 11W；结到壳热阻 RθJC = 4.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 90℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 15A，雪崩能量 EAS = 56mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为电流路径提供足够的铜箔面积，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTNG100D25 凭借 100V 耐压和良好的开关特性，广泛适用于：
笔记本电脑电源管理：电池充放电保护、负载开关。
便携设备：智能手机、平板电脑的电源路径管理。
电池供电系统：电动工具、可穿戴设备的功率开关。
DC/DC 转换器：高压降压转换器的主开关。
瑞斯特 RSTNG100D25 是便携式高密度电源管理的理想选择。
