RSTNG100D07A1

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG100D07A1 是一款 100V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6C‑8_EP2 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 45A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 135A。其导通电阻典型值为 7mΩ（VGS=10V）和 9mΩ（VGS=4.5V），在 100V 耐压等级中具有较低的导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6C‑8_EP2 封装具有出色的热传导能力，适合桥式拓扑、同步整流和电机驱动应用。

■ 关键电气参数
RSTNG100D07A1 的栅极阈值电压典型值约为 1.5V（范围 1.0~2.2V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。虽然数据手册未提供详细的动态参数数值，但从特性曲线可推断其输入电容和栅极电荷经过优化，适合中速开关应用。体二极管正向压降典型值约 0.8V，反向恢复特性良好，可有效降低续流损耗。器件在 4.5V 驱动下仍能保持较低导通电阻，确保了在低电压驱动系统中的适用性。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG100D07A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 35W，TC=100℃ 时降额至 13W；结到壳热阻 RθJC = 3.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 75℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 44A，雪崩能量 EAS = 484mJ（L=0.5mH），具有出色的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔及足够的过孔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTNG100D07A1 凭借 100V 耐压和低导通电阻，特别适用于：

• 桥式拓扑：半桥和全桥转换器中的功率开关。

• 同步整流器：高效电源转换中的同步整流对。

• 电机驱动：BLDC 电机驱动。

• DC/DC 转换器：高压降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTNG100D07A1 是 100V 级高效电源转换和电机驱动系统的优选器件。