RSTN90P02A1
RSTN90P02A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN90P02A1 是一款超低导通电阻、大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -90A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -270A。导通电阻典型值为 5mΩ（VGS=-4.5V, ID=15A）和6mΩ（VGS=-2.5V, ID=10A），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合便携设备、电子烟电池保护和负载开关。
■ 关键电气参数
RSTN90P02A1 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.5~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约4300pF（VDS=-10V），输出电容约760pF，反向传输电容约620pF。栅极电荷 Qg 典型值约48nC（VGS=4.5V, ID=15A），其中栅源电荷约5.5nC，栅漏电荷约18nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约14ns，上升约17ns，关断延迟约186ns，下降约84ns。体二极管反向恢复时间约37ns，恢复电荷约20nC，适合中低频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN90P02A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 36.7W，TC=100℃ 时降额至14.7W；结到壳热阻 RθJC = 3.4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -18A，雪崩能量 EAS = 81mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN90P02A1 凭借-20V耐压和90A电流能力，广泛适用于：
便携设备：智能手机、平板电脑中的电源路径切换。
电子烟电池保护：大电流充放电保护。
负载开关：服务器、通信设备中的大电流切换。
电池管理：多节并联锂电的充放电控制。
瑞斯特 RSTN90P02A1 为低压大电流P沟道应用提供了低导通电阻的解决方案。
