RSTN90N02A1
RSTN90N02A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN90N02A1 是一款超低导通电阻、大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 90A（TC=25℃，邦定线限流），脉冲电流 IDM = 270A。导通电阻典型值为 2.8mΩ（VGS=4.5V）和3.6mΩ（VGS=2.5V），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合桌面计算机和DC/DC转换器应用。
■ 关键电气参数
RSTN90N02A1 的栅极阈值电压典型值约1.6V（范围1.3~2.5V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 2000pF（VDS=10V），输出电容约300pF，反向传输电容约150pF。栅极电荷 Qg 典型值约25nC（VGS=4.5V），开关速度快。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约10ns，上升约12ns，关断延迟约20ns，下降约15ns。体二极管反向恢复时间约20ns，恢复电荷约8nC，适合高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN90N02A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 52W，TC=100℃ 时降额至21W；结到壳热阻 RθJC = 2.4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为22℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 54A，雪崩能量 EAS = 144mJ（L=0.1mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN90N02A1 凭借20V耐压和90A电流能力，广泛适用于：
桌面计算机电源管理：CPU/GPU核心供电（VRM）的功率级。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
负载开关：服务器、通信设备中的大电流负载切换。
电池保护：大容量锂电的充放电控制。
瑞斯特 RSTN90N02A1 为低压大电流系统提供了极低导通损耗的解决方案。
