RSTN80P10A1LD
RSTN80P10A1LD 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN80P10A1LD 是一款高压大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -80V，连续漏极电流 ID = -80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -240A。导通电阻典型值为 10mΩ（VGS=-10V, ID=-25A）和12mΩ（VGS=-4.5V, ID=-20A），在80V P沟道中具有极低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合DC/DC转换、负载开关和便携设备电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN80P10A1LD 的栅极阈值电压典型值约 -1.5V（范围 -1.0~-2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约4800pF（VDS=-30V），输出电容约350pF，反向传输电容约185pF。栅极电荷 Qg 典型值约90nC（VGS=10V, ID=-25A），其中栅源电荷约19nC，栅漏电荷约24nC。开关时间（VDD=-30V, ID=-1A）显示开通延迟约23ns，上升约18ns，关断延迟约115ns，下降约47ns。体二极管反向恢复时间约39ns，恢复电荷约62nC，适合中频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN80P10A1LD 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 62.5W（根据数据推测），TC=100℃ 时降额至35.7W；结到壳热阻 RθJC = 1.6℃/W（推测），结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -24A（推测），雪崩能量 EAS = 144mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN80P10A1LD 凭借-80V耐压和80A电流能力，广泛适用于：
DC/DC转换器：高压大电流降压转换器的主开关。
电源管理：工业电源、通信设备中的负载开关。
负载开关：大电流电源路径切换。
便携设备：电池供电系统中的功率管理。
瑞斯特 RSTN80P10A1LD 为80V大电流P沟道应用提供了高效、可靠的解决方案。
