RSTN7409A1
RSTN7409A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN7409A1 是一款低压大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -50A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -150A。导通电阻典型值为 8mΩ（VGS=-10V, ID=-23A）和11mΩ（VGS=-4.5V, ID=-14A），在P沟道中具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN7409A1 的栅极阈值电压典型值约 -2V（范围 -1~-3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1940pF（VDS=-15V），输出电容约260pF，反向传输电容约185pF。栅极电荷 Qg 典型值约34nC（VGS=-10V, ID=-23A）和17nC（VGS=-4.5V），其中栅源电荷约6nC，栅漏电荷约7.3nC。开关时间（VDD=-15V, ID=-1A）显示开通延迟约11ns，上升约10ns，关断延迟约155ns，下降约133ns。体二极管反向恢复时间约16ns，恢复电荷约6nC，适合中频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN7409A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 54W，TC=100℃ 时降额至22W；结到壳热阻 RθJC = 2.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -26A，雪崩能量 EAS = 34mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN7409A1 凭借-30V耐压和50A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：CPU/GPU供电、大电流负载开关。
便携设备：平板电脑、移动电源中的电池保护。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
电池供电系统：多节并联锂电的充放电管理。
瑞斯特 RSTN7409A1 为低压大电流P沟道应用提供了高效、可靠的解决方案。
