RSTN7400A2MP
RSTN7400A2MP 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN7400A2MP 是一款低压大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8L封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 40A（TC=25℃，封装限流40A），脉冲电流 IDM = 120A。导通电阻典型值为 6.2mΩ（VGS=10V, ID=12A）和9mΩ（VGS=4.5V, ID=9A），具有较低导通损耗。器件经过雪崩额定和100% UIS测试，可靠性高，符合RoHS要求。PDFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN7400A2MP 的栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.5~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约592pF（VDS=15V），输出电容约133pF，反向传输电容约44pF。栅极电荷 Qg 典型值约14.5nC（VGS=10V, ID=12A）和6.8nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约2.4nC，栅漏电荷约3.9nC。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约9ns，上升约12ns，关断延迟约23ns，下降约6ns。体二极管反向恢复时间约6.6ns，恢复电荷约2nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN7400A2MP 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 24W，TC=100℃ 时降额至9.6W；结到壳热阻 RθJC = 4.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为42℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 24A，雪崩能量 EAS = 28.8mJ（L=0.2mH）。建议在PCB布局中为PDFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN7400A2MP 凭借30V耐压和40A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：CPU/GPU供电、大电流负载开关。
便携设备：平板电脑、移动电源中的电池保护。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
电池供电系统：多节并联锂电的充放电管理。
瑞斯特 RSTN7400A2MP 为低压大电流系统提供了高效、可靠的开关方案。
