RSTN65R220

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN65R220 是一款高压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 17A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 51A。导通电阻最大值为 0.22Ω（VGS=10V, ID=6A），典型值0.22Ω，在650V耐压等级中具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6封装提供良好的散热和低寄生参数，适合AC/DC电源转换、UPS和适配器应用。

■ 关键电气参数
RSTN65R220 的栅极阈值电压典型值约3.5V（范围2.5~4.5V），兼容5V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1093pF（VDS=325V），输出电容约33pF，反向传输电容约6pF。栅极电荷 Qg 典型值约24nC（VGS=10V, ID=6A），其中栅源电荷约6.1nC，栅漏电荷约8.9nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约15ns，上升约13ns，关断延迟约41ns，下降约92ns。体二极管反向恢复时间约244ns，恢复电荷约2.7μC，适合中低频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN65R220 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 125W，TC=100℃ 时降额至50W；结到壳热阻 RθJC = 1℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 6A，雪崩能量 EAS = 180mJ（L=10mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保高压应用中的散热。

■ 典型应用场景
RSTN65R220 凭借650V耐压和17A电流能力，广泛适用于：

• AC/DC电源转换：开关电源（SMPS）中的主开关。

• 不间断电源（UPS）：逆变器功率级中的开关。

• 适配器：笔记本适配器、快充适配器中的功率开关。

• LED驱动电源：高压LED驱动中的主开关。

瑞斯特 RSTN65R220 为650V高压系统提供了高效、可靠的开关方案。