RSTN60P32A1
RSTN60P32A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN60P32A1 是一款中压P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -26A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -78A。导通电阻典型值为 32mΩ（VGS=-10V, ID=-20A）和40mΩ（VGS=-4.5V, ID=-20A），具有较低导通损耗。器件经过100% UIS测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6封装提供良好的散热和低寄生参数，适合DC/DC转换、电源管理和负载开关。
■ 关键电气参数
RSTN60P32A1 的栅极阈值电压典型值约 -1.8V（范围 -1.3~-2.3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1416pF（VDS=-30V），输出电容约142pF，反向传输电容约85pF。栅极电荷 Qg 典型值约32nC（VGS=10V, ID=-20A），其中栅源电荷约3.6nC，栅漏电荷约8.3nC。开关时间（VDD=-30V, ID=-1A）显示开通延迟约10ns，上升约9ns，关断延迟约88ns，下降约42ns。体二极管反向恢复时间约23ns，恢复电荷约22nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN60P32A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 54W，TC=100℃ 时降额至21W；结到壳热阻 RθJC = 2.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -17A，雪崩能量 EAS = 72mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN60P32A1 凭借-60V耐压和26A电流能力，广泛适用于：
DC/DC转换器：中压降压转换器的主开关。
电源管理：工业控制、通信设备中的负载开关。
负载开关：电源路径切换。
电池保护：多节锂电保护电路中的放电控制。
瑞斯特 RSTN60P32A1 为60V P沟道应用提供了高效、可靠的解决方案。
