RSTN60D11A1
RSTN60D11A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN60D11A1 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 40A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 120A。导通电阻典型值为 13.5mΩ（VGS=10V, ID=40A）和17mΩ（VGS=4.5V, ID=30A），具有较低导通损耗。器件采用双芯片封装，节省PCB空间，经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6C封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合桌面计算机和DC/DC转换器。
■ 关键电气参数
RSTN60D11A1 的栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.4~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约820pF（VDS=20V），输出电容约100pF，反向传输电容约60pF。栅极电荷 Qg 典型值约15.7nC（VGS=10V, ID=10A）和7.7nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约1.9nC，栅漏电荷约3.6nC。开关时间（VDD=20V, ID=1A）显示开通延迟约10.6ns，上升约8ns，关断延迟约20.3ns，下降约4.6ns。体二极管反向恢复时间约14.6ns，恢复电荷约9.4nC，适合高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN60D11A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 20W，TC=100℃ 时降额至8.3W；结到壳热阻 RθJC = 6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 110℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为54℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 19A，雪崩能量 EAS = 18mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN60D11A1 凭借60V耐压和40A电流能力，广泛适用于：
桌面计算机电源管理：主板供电、电压调节。
DC/DC转换器：中压大电流降压转换器的主开关。
负载开关：服务器、通信设备中的负载切换。
电机驱动：中功率BLDC电机驱动。
瑞斯特 RSTN60D11A1 为60V系统提供了高效、可靠的开关方案。
