RSTN5853A8
RSTN5853A8 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN5853A8 是一款低压P沟道增强型功率MOSFET，内部集成肖特基二极管，采用DFNWB3X2-08L-B封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -2.7A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -8.1A。导通电阻典型值为 55mΩ（VGS=-4.5V, ID=-2.7A）和80mΩ（VGS=-2.5V, ID=-2A），支持1.8V驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFNWB3X2封装具有极小的占板面积，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN5853A8 的栅极阈值电压典型值约 -0.75V（范围 -0.45~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约215pF（VDS=-10V），输出电容约105pF，反向传输电容约40pF。栅极电荷 Qg 典型值约8nC（VGS=-4.5V, ID=-6.5A），其中栅源电荷约1.6nC，栅漏电荷约1.9nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约8ns，关断延迟约13ns，下降约34ns。体二极管反向恢复时间约16ns，恢复电荷约8nC。集成肖特基二极管参数：正向压降0.48V（IF=0.5A），反向漏电流100μA（VR=20V），结电容41pF，适合高频整流。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN5853A8 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 2.5W，TA=70℃ 时降额至1.6W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为50℃/W。该器件未明确标注雪崩能力，但集成肖特基可降低反向恢复损耗。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN5853A8 凭借-20V耐压和集成肖特基，广泛适用于：
笔记本电源管理：小信号负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、可穿戴设备中的电池保护。
低压DC/DC转换：小功率降压转换器中的同步整流。
逻辑电平转换：低电压接口驱动。
瑞斯特 RSTN5853A8 为低压小尺寸系统提供了集成肖特基的高效解决方案。
