RSTN517A5
RSTN517A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN517A5 是一款低压互补型功率MOSFET，集成N沟道和P沟道，采用紧凑的DFN2x2-6封装。N沟道额定 VDS = 12V，连续电流 ID = 4.5A（TA=25℃）；P沟道额定 VDS = -12V，连续电流 ID = -4.5A（TA=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 24mΩ（VGS=4.5V）和28mΩ（VGS=2.5V）；P沟道为 50mΩ（VGS=-4.5V）和66mΩ（VGS=-2.5V）。器件经过可靠性测试，符合RoHS要求。DFN2x2封装具有极小的占板面积，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.4~0.9V），P沟道约-0.7V，兼容1.8V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约510pF（VDS=6V），输出电容约130pF，反向传输电容约110pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 6.5nC（VGS=4.5V, ID=6.8A），P沟道约7nC。开关时间N沟道开通延迟约4ns，上升约12.5ns，关断延迟约24ns，下降约5ns；P沟道略慢。体二极管反向恢复时间约10.5ns，恢复电荷约2.5nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN517A5 在 TA=25℃ 时单路最大耗散功率为 1.5W（双路合计），TA=70℃ 时降额至0.9W；结到环境热阻（瞬态t≤10s）为85℃/W，稳态为135℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 6A（EAS=9mJ）（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN2x2封装提供足够铜箔，确保双通道散热。
■ 典型应用场景
RSTN517A5 凭借低压互补特性和小封装，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、可穿戴设备中的电池保护。
电池供电系统：单节锂电充放电管理。
逻辑电平转换：低电压接口驱动。
瑞斯特 RSTN517A5 为低压小尺寸系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案。
