RSTN50P02A1
RSTN50P02A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN50P02A1 是一款低压大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -50A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -150A。导通电阻典型值为 10mΩ（VGS=-4.5V, ID=-15A）和13mΩ（VGS=-2.5V, ID=-8A），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合便携设备和负载开关应用。
■ 关键电气参数
RSTN50P02A1 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.5~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1630pF（VDS=-10V），输出电容约300pF，反向传输电容约230pF。栅极电荷 Qg 典型值约18nC（VGS=-4.5V, ID=-15A），其中栅源电荷约2.6nC，栅漏电荷约5.9nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约9ns，上升约13ns，关断延迟约26ns，下降约160ns。体二极管反向恢复时间约16ns，恢复电荷约6nC，适合中高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN50P02A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 29.7W，TC=100℃ 时降额至11.9W；结到壳热阻 RθJC = 4.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -9A，雪崩能量 EAS = 20.25mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN50P02A1 凭借-20V耐压和50A电流能力，广泛适用于：
便携设备负载开关：智能手机、平板电脑中的电源路径切换。
电池保护：单节/双节锂电保护电路中的充放电控制。
电源多路复用：双电源输入自动切换。
低压系统电源管理：笔记本、可穿戴设备中的功率分配。
瑞斯特 RSTN50P02A1 为低压大电流P沟道应用提供了高集成度、低导通电阻的解决方案。
