RSTN40P10A2
RSTN40P10A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN40P10A2 是一款中压P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3C-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -40V，连续漏极电流 ID = -40A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -120A。导通电阻典型值为 10mΩ（VGS=-10V, ID=16A）和14mΩ（VGS=-4.5V, ID=10A），具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN3.3x3.3C封装提供良好的散热和低寄生参数，适合LCD TV逆变器等电源管理应用。
■ 关键电气参数
RSTN40P10A2 的栅极阈值电压典型值约 -1.6V（范围 -1.2~-2.0V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约2840pF（VDS=-20V），输出电容约415pF，反向传输电容约285pF。栅极电荷 Qg 典型值约62nC（VGS=10V, ID=16A）和32nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约9nC，栅漏电荷约17nC。开关时间（VDD=-20V, ID=-1A）显示开通延迟约18ns，上升约16ns，关断延迟约94ns，下降约50ns。体二极管反向恢复时间约29ns，恢复电荷约24nC，适合中频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN40P10A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 42W，TC=100℃ 时降额至17W；结到壳热阻 RθJC = 3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -24A，雪崩能量 EAS = 144mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN40P10A2 凭借-40V耐压和40A电流能力，广泛适用于：
LCD TV逆变器电源管理：背光驱动中的功率开关。
负载开关：工业控制、通信设备中的电源切换。
DC/DC转换器：中压降压转换器的主开关。
电池保护：多节锂电保护电路中的放电控制。
瑞斯特 RSTN40P10A2 为40V P沟道应用提供了高效、可靠的开关方案。
