RSTN40P03A1
RSTN40P03A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN40P03A1 是一款超低导通电阻、超大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -40V，连续漏极电流 ID = -130A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -300A。导通电阻典型值仅为 3mΩ（VGS=-10V, ID=20A）和4mΩ（VGS=-4.5V, ID=15A），在40V P沟道中具有极低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6A封装具有极佳的热传导能力和低寄生电感，适合SMPS同步整流、负载开关等应用。
■ 关键电气参数
RSTN40P03A1 的栅极阈值电压典型值约 -1.8V（范围 -1.3~-2.3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约10400pF（VDS=20V），输出电容约980pF，反向传输电容约650pF。栅极电荷 Qg 典型值约180nC（VGS=10V, ID=20A）和90nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约29nC，栅漏电荷约36nC。开关时间（VDD=20V, ID=1A）显示开通延迟约22ns，上升约23ns，关断延迟约260ns，下降约144ns。体二极管反向恢复时间约41ns，恢复电荷约42nC，适合中低频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN40P03A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 208.3W，TC=100℃ 时降额至83.3W；结到壳热阻 RθJC = 0.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -60A，雪崩能量 EAS = 900mJ（L=0.5mH），具有极强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以充分利用封装的低热阻优势。
■ 典型应用场景
RSTN40P03A1 凭借-40V耐压和130A电流能力，广泛适用于：
SMPS同步整流：开关电源的高效同步整流。
负载开关：大电流热插拔开关、电源路径管理。
DC-DC转换：大电流降压转换器的主开关。
OR-ing：冗余电源系统中的理想二极管。
瑞斯特 RSTN40P03A1 为40V大电流系统提供了极低的导通损耗和强大的电流能力。
