RSTN40N013A1

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN40N013A1 是一款超低导通电阻、大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 400A。导通电阻典型值 1.3mΩ（VGS=10V, ID=25A），最大值1.6mΩ；4.5V驱动时典型值1.6mΩ，最大值2.1mΩ，具有极低导通损耗。器件具有低Qg特性，适合高速开关，经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6封装具有极佳的热传导能力和低寄生参数，适用于高功率密度设计。

■ 关键电气参数
RSTN40N013A1 的栅极阈值电压典型值约1.7V（范围1.3~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约4945pF（VDS=20V），输出电容约1280pF，反向传输电容约165pF。栅极电荷 Qg 典型值约78nC（VGS=10V, ID=25A）和36nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约14nC，栅漏电荷约9.6nC。开关时间（VDD=20V, ID=1A）显示开通延迟约21.5ns，上升约13ns，关断延迟约93ns，下降约87ns。体二极管反向恢复时间约51ns，恢复电荷约51nC，适合中高频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN40N013A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 104W，TC=100℃ 时降额至52.1W；结到壳热阻 RθJC = 1.44℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为24℃/W。最高结温175℃，为高温环境提供充足裕量。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 65A，雪崩能量 EAS = 211mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTN40N013A1 凭借40V耐压和100A电流能力，广泛适用于：

• 桌面计算机电源管理：CPU/GPU核心供电（VRM）。

• DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。

• 负载开关：大电流热插拔开关。

• 电池管理：大容量锂电的充放电控制。

瑞斯特 RSTN40N013A1 为40V大电流系统提供了极低的导通损耗和高速开关性能。