RSTN40C27A1JM
RSTN40C27A1JM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN40C27A1JM 是一款集成N沟道和P沟道的互补型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装。N沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 30A（TC=25℃）；P沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -30A（TC=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 16mΩ（VGS=10V）和19mΩ（VGS=4.5V）；P沟道为 30mΩ（VGS=-10V）和36mΩ（VGS=-4.5V）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6C封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合风扇预驱动器H桥和电机控制。
■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约2V（范围1.5~2.5V），P沟道约-2V（范围-1.5~-2.5V），兼容3.3V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约668pF（VDS=20V），输出电容约105pF，反向传输电容约80pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 13.5nC（VGS=10V, ID=8.8A），P沟道约6.9nC（VGS=-4.5V）。开关时间N沟道开通延迟约10ns，上升约10ns，关断延迟约33ns，下降约18ns；P沟道类似。体二极管反向恢复时间N沟道约16ns，恢复电荷约10nC，适合中高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN40C27A1JM 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 18.9W（双路合计），TC=100℃ 时降额至7.6W；结到壳热阻 RθJC = 6.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 75℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 10A（EAS=25mJ）（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，确保双路同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN40C27A1JM 凭借互补特性和40V耐压，广泛适用于：
风扇预驱动器H桥：散热风扇、鼓风机驱动。
电机控制：BLDC电机、步进电机驱动。
同步整流：中压DC/DC转换器的同步整流。
负载开关：工业控制、汽车电子中的电源路径管理。
瑞斯特 RSTN40C27A1JM 为40V互补开关应用提供了高集成度、低导通损耗的解决方案。
