RSTN4080A1YD
RSTN4080A1YD 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN4080A1YD 是一款超低导通电阻、大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6-8L封装，额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃，邦定线限流），脉冲电流 IDM = 300A。导通电阻典型值为 4.4mΩ（VGS=10V, ID=40A）和5.4mΩ（VGS=4.5V, ID=35A），具有极低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。PDFN5x6封装具有优异的散热能力和低寄生电感，适合SMPS同步整流、负载开关和DC-DC转换。
■ 关键电气参数
RSTN4080A1YD 的栅极阈值电压典型值约1.7V（范围1.3~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1540pF（VDS=20V），输出电容约984pF，反向传输电容约52pF。栅极电荷 Qg 典型值约24.8nC（VGS=10V, ID=20A）和11.5nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约5.2nC，栅漏电荷约2.6nC。开关时间（VDD=20V, ID=1A）显示开通延迟约14.3ns，上升约7.7ns，关断延迟约32.6ns，下降约26.6ns。体二极管反向恢复时间约28ns，恢复电荷约20nC，适合高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN4080A1YD 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 54W，TC=100℃ 时降额至22W；结到壳热阻 RθJC = 2.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为17℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 50A，雪崩能量 EAS = 125mJ（L=0.1mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN4080A1YD 凭借40V耐压和80A电流能力，广泛适用于：
SMPS同步整流：服务器电源、通信电源的高效同步整流。
负载开关：大电流热插拔开关、电源路径管理。
DC-DC转换：低压大电流降压转换器的主开关。
电机驱动：大功率BLDC电机驱动。
瑞斯特 RSTN4080A1YD 为40V大电流系统提供了极低导通损耗的解决方案。
