RSTN30PD09A2
RSTN30PD09A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30PD09A2 是一款双P沟道增强型功率MOSFET（内部集成两个独立P沟道），采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。每个通道额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -35A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -105A。导通电阻典型值为 9mΩ（VGS=-10V, ID=6A）和10mΩ（VGS=-4.5V, ID=4A），具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合笔记本和便携设备中的双路负载开关。
■ 关键电气参数
RSTN30PD09A2 的栅极阈值电压典型值约 -2V（范围 -1.5~-2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1270pF（VDS=-15V），输出电容约255pF，反向传输电容约165pF。栅极电荷 Qg 典型值约28nC（VGS=10V, ID=6A）和13.8nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约4.6nC，栅漏电荷约6.6nC。开关时间（VDD=-15V, ID=-1A）显示开通延迟约11ns，上升约11ns，关断延迟约81ns，下降约50ns。体二极管反向恢复时间约19ns，恢复电荷约10nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN30PD09A2 在 TC=25℃ 时单通道最大耗散功率为 25W（双路合计），TC=100℃ 时降额至10W；结到壳热阻 RθJC = 5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -40A，雪崩能量 EAS = 80mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，确保双通道同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN30PD09A2 凭借双P沟道集成和35A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：双路负载开关、电源路径切换。
便携设备：平板电脑、移动电源中的电池保护。
电池包管理：多节锂电的充放电控制。
信号切换：通信设备中的模拟开关。
瑞斯特 RSTN30PD09A2 为低压双路P沟道应用提供了高集成度、低导通电阻的解决方案。
