RSTN30N16A2JM
RSTN30N16A2JM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30N16A2JM 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8L封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 22A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 66A。导通电阻典型值为 14mΩ（VGS=10V, ID=8A）和21mΩ（VGS=4.5V），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。PDFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合笔记本和便携设备电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN30N16A2JM 的栅极阈值电压典型值约1.7V（范围1.0~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约430pF（VDS=15V），输出电容约80pF，反向传输电容约50pF。栅极电荷 Qg 典型值约8.8nC（VGS=10V, ID=8A）和4.2nC（VGS=4.5V），开关速度极快。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约7.5ns，上升约9.6ns，关断延迟约15.7ns，下降约3.4ns。体二极管反向恢复时间约11.2ns，恢复电荷约4.9nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN30N16A2JM 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 18W，TC=100℃ 时降额至7.1W；结到壳热阻 RθJC = 7℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 83℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为42℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 13A，雪崩能量 EAS = 7.9mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为PDFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN30N16A2JM 凭借30V耐压和22A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：CPU/GPU供电、负载开关。
便携设备：平板电脑、移动电源中的电源切换。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
电池管理系统：多节锂电充放电控制。
瑞斯特 RSTN30N16A2JM 为低压系统提供了高效、紧凑的开关方案。
