RSTN30N13A5
RSTN30N13A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30N13A5 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的DFN2x2A-6_EP封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 11A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 33A。导通电阻典型值为 13mΩ（VGS=4.5V）和14mΩ（VGS=2.5V），支持低压驱动。器件内置ESD保护，经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN2x2封装具有极小的占板面积，适合便携设备和电池保护应用。
■ 关键电气参数
RSTN30N13A5 的栅极阈值电压典型值约1.6V（范围1.0~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 500pF（VDS=15V），输出电容约80pF，反向传输电容约30pF。栅极电荷 Qg 典型值约6nC（VGS=4.5V），开关速度极快。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约5ns，上升约10ns，关断延迟约20ns，下降约8ns。体二极管反向恢复时间约10ns，恢复电荷约2nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN30N13A5 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.32W，TA=70℃ 时降额至0.8W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为54℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 16A，雪崩能量 EAS = 13mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN30N13A5 凭借30V耐压和11A电流能力，广泛适用于：
锂离子电池包：单节/多节锂电保护电路。
DC-DC降压转换器：低压小功率降压应用。
负载开关：便携设备中的电源切换。
电池管理系统：充放电控制。
瑞斯特 RSTN30N13A5 为低压小尺寸系统提供了高效、紧凑的开关方案。
