RSTN30N04A5
RSTN30N04A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30N04A5 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的DFN2x2A-6_EP封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 20A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 60A。导通电阻典型值为 4mΩ（VGS=10V, ID=8A）和6mΩ（VGS=4.5V, ID=5A），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN2x2封装具有极小的占板面积和低寄生电感，适合便携设备和高密度电路板。
■ 关键电气参数
RSTN30N04A5 的栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.0~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约730pF（VDS=15V），输出电容约122pF，反向传输电容约80pF。栅极电荷 Qg 典型值约17nC（VGS=10V, ID=8A）和8.2nC（VGS=4.5V），开关速度快。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约12ns，上升约11ns，关断延迟约32ns，下降约6.8ns。体二极管反向恢复时间约12.5ns，恢复电荷约4.5nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN30N04A5 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.66W，TA=70℃ 时降额至1.06W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 75℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为40℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 20A，雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN30N04A5 凭借30V耐压和20A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电池保护。
低压DC/DC转换器：小功率降压转换器的主开关。
电池供电系统：单节锂电充放电管理。
瑞斯特 RSTN30N04A5 为低压小尺寸系统提供了高效、紧凑的开关方案。
